CS360 電位儀 — 10μHz~8MHz 高頻 EIS 模組,專為固態電解質材料研究開發
EIS 頻率範圍:10 μHz ~ 8 MHz
特別針對固態電解質材料研究進行開發
支援極低頻至超高頻的電化學阻抗分析,適用於高阻抗系統與複雜界面行為探討
提供卓越的穩定性與高解析度量測,為先進能源材料與電化學機制研究提供關鍵工具
最大輸出電流:±2 A
最大施加電位:±10 V
EIS 頻率範圍:10 μHz ~ 8 MHz
電流量測範圍:2 nA ~ 2 A,共 10 段可選
電位量測範圍:共 4 段(±200 mV、±2.5 V、±5 V、±10 V)
恆流輸出電壓:±30 V
電位控制精度:0.1% × 全量程 ± 1 mV
電流控制精度:0.1% × 全量程
CS360 單通道恆電位儀/電流儀(具備 EIS 模組)
CS360 結合 DDS 任意波形產生器、恆電位儀/電流儀(potentiostat/galvanostat)與頻率響應分析儀(FRA) 為一體。藉由內建雙通道 24 位元 Delta-sigma 類比數位轉換器(ADC),提供卓越的穩定性與高解析度:
電位解析度可達 1 mV
電流解析度可達 1 pA
其 EIS 頻率範圍高達 8 MHz,特別適用於固態電解質材料研究,是進行高阻抗與高頻電化學測試的理想工具。
能源材料研究:固態電池、鋰離子電池、太陽能電池、燃料電池、超級電容器等
電催化研究:HER(氫析出)、OER(氧析出)、ORR(氧還原)、CO₂RR(二氧化碳還原)、NRR(氮還原)、水分解等
電合成與反應機制研究:電解合成、電鍍、陽極氧化與電解過程分析
金屬腐蝕與防護應用:腐蝕行為評估、防蝕劑效果、塗層防護與陰極保護效率分析
固態電池具備高能量密度、快速充放電能力與長壽命等優勢,已廣泛應用於電動車、穿戴式裝置等領域。由於其具備防漏、阻燃及抑制鋰枝晶生長等特性,固態電解質大幅提升了電池的安全性。
在研究固態電池性能的過程中,電化學阻抗分析(EIS)是一項關鍵技術。透過在不同頻率範圍內量測 EIS,可獲得有關電荷傳輸、電化學反應行為等重要資訊,進而為開發高性能全固態電池提供理論依據與技術支撐。
CS360 電化學工作站支援高達 8 MHz 的 EIS 頻率範圍,能夠滿足對固態電解質進行高頻阻抗分析的需求。
固態電解質的研究尤其重視其高頻區段的阻抗行為,這有助於:
定量分析材料的電子與離子導電性
揭示材料的微觀結構問題(如晶界效應)
為材料優化設計與電池性能提升提供科學依據
固態電池固定夾具專為實驗室與研發用途設計,用以安全、穩固地夾持各類型固態電池樣品,確保在測試過程中具備良好的電接觸穩定性與機械固定性,特別適合進行阻抗(EIS)、CV、充放電等電化學測試。
適用於薄片型、圓片型或定制尺寸之固態電池樣品
支援雙電極或三電極系統(可選配參考電極)
可選用不銹鋼、鉬、鎳、金屬鍍金等導電材料電極端子
設計具備氣密或隔絕濕氣選項,延長測試時間穩定性
可整合溫控模組或壓力模組,模擬實際工作環境
搭配電化學工作站如 CS360 可直接進行 EIS、電荷傳輸與電導分析
EIS 測試透過施加小振幅正弦波,可解析固態鋰電池中的電荷傳輸與界面阻抗行為,進而評估電解質性能與材料微結構問題。
支援 2、3 或 4 電極配置
最大施加電位:±10 V
最大輸出電流:±2 A
電位控制精度:0.1% × 全量程 ±1 mV
電流控制精度:0.1% × 全量程
電位解析度:1 μV
電流靈敏度:1 pA
電位上升時間:≤1 μs
參考電極輸入阻抗:10¹³ Ω || 5 pF
輸入偏壓電流:≤10 pA
電位量程:±200 mV、±2.5 V、±5 V、±10 V(共 4 段)
電流量程:±200 pA ~ ±2 A(共 11 段)
遵循電壓(Compliance Voltage):±30 V
CV / LSV 掃描速率:0.001 mV/s ~ 10 kV/s
CA / CC 脈衝寬度:0.0001 ~ 65,000 s
掃描電流增量:1 mA @ 1 A/ms
掃描電位增量:0.02 mV @ 1 V/ms
SWV 頻率:0.001 ~ 100 kHz
DPV / NPV 脈衝寬度:0.001 ~ 100 s
資料擷取精度:16-bit @ 1 MHz;20-bit @ 1 kHz
DA 輸出解析度:20-bit
CV 最小電位增量:0.02 mV
低通濾波器:涵蓋 7 個數量級
電位/電流範圍切換:手動 / 自動
接地模式:浮地(Floating)、接地(Earthing),支援 ZRA 模式
通訊介面:USB 2.0、RJ45 乙太網路
作業系統支援:Windows 10 / 11
電源供應:90~240 V AC,50/60 Hz
尺寸 / 重量:36 × 30 × 16 cm / 6.5 kg
頻率範圍:10 μHz ~ 8 MHz
交流振幅:1 mV ~ 2500 mV
直流偏壓(DC Bias):-10 V ~ +10 V
輸出阻抗:50 Ω
頻率準確度:0.1%
信號解析度:0.1 mV RMS
波形類型:正弦波、三角波、方波
波形失真度:<1%
掃描模式:對數 / 線性、遞增 / 遞減
積分時間:最短 10 ms 或一個週期最長時間
最大量測週期數:10⁶ 次 或 10⁵ s
量測延遲設定:0 ~ 10⁵ s
直流偏移補償範圍:電位 -10 V ~ +10 V、電流 -2 A ~ +2 A
頻寬覆蓋:8 個數量級,支援自動與手動設定
開路電位(OCP)
定電位控制(Potentiostatic, I–T 曲線)
定電流控制(Galvanostatic)
動態極化(Potentiodynamic, Tafel 曲線)
電流掃描動態極化(Galvanodynamic, DGP)
多階梯電位(Multi Potential Steps)
多階梯電流(Multi Current Steps)
電位階梯(VSTEP)
電流階梯(ISTEP)
定電流電位法(Chronopotentiometry, CP)
定電位電流法(Chronoamperometry, CA)
電量法(Chronocoulometry, CC)
線性掃描伏安法(Linear Sweep Voltammetry, LSV)
循環伏安法(Cyclic Voltammetry, CV)
階梯伏安法(Staircase CV, SCV)
方波伏安法(Square Wave Voltammetry, SWV)
微分脈衝伏安法(Differential Pulse Voltammetry, DPV)
正常脈衝伏安法(Normal Pulse Voltammetry, NPV)
微分正常脈衝伏安法(DNPV)
交流伏安法(AC Voltammetry, ACV)
二次諧波交流伏安法(2nd Harmonic ACV, SHACV)
傅立葉轉換交流伏安法(FTACV)
定電位阻抗分析(Potentiostatic EIS, Nyquist、Bode 圖)
定電流阻抗分析(Galvanostatic EIS)
指定頻率的 EIS 測試(Potentiostatic / Galvanostatic, Optional Frequency)
單一頻率對時間的 EIS 測試(EIS vs. Time)
Mott-Schottky 測試(半導體性分析)
循環極化曲線(CPP)
線性極化曲線(LPR)
電化學動電位再活化測試(EPR)
電化學噪聲(ECN)
零電阻電流計(ZRA)
電池充放電測試(Battery Charge / Discharge)
定電流充放電(Galvanostatic GCD)
定電位充放電(Potentiostatic PCD)
定電位間歇滴定技術(PITT)
定電流間歇滴定技術(GITT)
微分脈衝安培法(DPA)
雙微分脈衝安培法(DDPA)
三重脈衝安培法(TPA)
積分脈衝安培檢測(IPAD)
定電位剝離(Potentiostatic Stripping)
線性/階梯/方波剝離(Linear, Staircase, Square Wave Stripping)
微分脈衝剝離(DPV Stripping)
正常脈衝剝離(NPV Stripping)
微分正常脈衝剝離(DNPV Stripping)
電化學沉積/剝離(Electrochemical Stripping / Deposition)
批量電解(Bulk Electrolysis with Coulometry, BE)
電解質內阻測量(Rs Measurement)
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