電化學摩擦腐蝕硬體參數指標
電位控制
恆電位控制範圍:±10 V
電位控制精度:0.1% × 滿量程讀值 ± 1 mV
電位靈敏度:10 mV(>100 Hz)、3 mV(<10 Hz)
電位上升時間:<1 ms(<10 mA)、<10 ms(<2 A)
參比電極輸入阻抗:10¹² Ω || 20 pF
槽壓輸出:±21 V
電位掃描
CV/LSV 掃描速度:0.001 mV~10000 V/s
CA/CC 脈衝寬度:0.0001~65000 s
SWV 頻率:0.001~100 kHz
最小 CV 電位增量:0.075 mV
電位掃描增量:0.076 mV @ 1 V/ms
電流控制
恆電流控制範圍:±2.0 A
電流控制精度:0.1% × 滿量程讀值
電流靈敏度:<10 pA
電流量程:2 A~200 nA,共 8 檔
最大輸出電流:2.0 A
電流掃描增量:1 mA @ 1 A/ms
脈衝分析
DPV/NPV 脈衝寬度:0.0001~1000 s
資料擷取與輸出
AD 採樣:16 bit @ 1 MHz、20 bit @ 1 kHz
DA 分辨率:16 bit,建立時間 1 ms
通訊介面:USB 2.0
量程設定:電位/電流自動切換
低通濾波器:8 段可編程
電化學阻抗(EIS)量測指標
信號發生器(FRA)
頻率範圍:10 mHz~500 kHz
頻率精確度:0.005%
DDS 輸出阻抗:50 Ω
正弦波失真率:<1%
掃描模式:對數/線性(升/降)
信號分析器
最大積分時間:10⁶ 個循環或 10⁵ s
最小積分時間:10 ms 或單循環最大時間
直流偏置補償範圍:-10 V~+10 V
帶寬調整:自動 或 手動(共 8 段)