CS2350M 雙恆電位儀

可同時進行 2 個通道的同步測試,並可搭配旋轉環盤電極(RRDE)使用。

產品介紹

CS2350M 雙恆電位儀內建兩套恆電位/恆電流控制系統,每套皆具備獨立的輔助電極、工作電極與參比電極輸出,並由 CS Studio 測試軟體完整協同控制電位與電流輸出,是真正意義上的雙通道電化學工作站。

具體應用

  1. 雙通道獨立使用:可同時進行兩組一般電化學測試。
  2. 雙通道聯合使用:可用於四電極體系的電化學分析,特別適合氧還原(ORR)中間產物收集、金屬氫擴散測試等廣泛應用。

技術優勢

CS2350M 雙恆電位儀不僅延續 CS 單通道系列的高精度、寬量程與強大的資料分析處理能力,更在原有產品基礎上做出創新突破。CS2350M 的雙通道硬體設計可同時滿足兩組實驗體系的量測需求,而軟體的組合式編程功能則大幅提升整體實驗效率。

典型案例

1. 雙通道獨立測試

使用專用的電池測試夾,搭配軟體的組合式編程功能,為電池與能源領域的使用者帶來更高效、更智慧的測試體驗。

2.搭配旋轉環盤電極(RRDE)研究氧化還原體系:

在量測圓盤電極的極化曲線時,可將環電極電位設定為固定的恆電位,使環電極保持在特定的極化電勢,用於偵測由圓盤電極反應所產生的中間產物。此方法是偵測反應中間物、解析電極反應機理的典型流體動力學技術。

氧還原反應(ORR)中的電子轉移數與相應的雙氧水(中間產物)產率,可分別透過相應公式進行計算:

其中已知 Idisk 和 Iring 分別為量測得到的盤電流、環電流,電極收集效率 N 由盤環電極的參數決定(為常數)。將測試結果代入上述公式,即可求得實際反應的電子轉移數 n 與 H₂O₂(%)所占比例。

3.金屬中的氫擴散測試:

利用兩套恆電位控制裝置,搭配 Devanathan–Stachurski 雙電解池系統,透過左側電解池的陰極充氫與右側電解池中氫原子的陽極氧化電流量測,可進一步計算金屬中氫原子的擴散係數與氫通量。

技術指標

儀器配置

  1. 儀器主機 1 台
  2. CS Studio 測試與分析軟體 1 套
  3. 模擬電解池 1 個
  4. 電源線、網路線 各 1 條
  5. 電極電纜線 2 條
  6. 電腦(選配*)

功能與方法

  • 穩態極化:
    開路電位量測(OCP)、恆電位極化(i-t 曲線)、恆電流極化、動電位掃描(TAFEL 曲線)、動電流掃描(DGP)
  • 暫態極化:
    任意恆電位階梯波、任意恆電流階梯波、恆電位階躍(VSTEP)、恆電流階躍(ISTEP)
  • 計時分析:
    計時電位法(CP)、計時電流法(CA)、計時電量法(CC)
  • 伏安分析:
    線性掃描伏安法(LSV)、循環伏安法(CV)、階梯循環伏安法(SCV)、方波伏安法(SWV)、差分脈衝伏安法(DPV)、常規脈衝伏安法(NPV)、常規差分脈衝伏安法(DNPV)、差分脈衝電流偵測法(DPA)、雙差分脈衝電流偵測法(DDPA)、三脈衝電流偵測法(TPA)、積分脈衝電流偵測法(IPAD)、交流伏安法(ACV)、二次諧波交流伏安(SHACV)、傅立葉轉換交流伏安(FTACV)
  • 溶出伏安:
    恆電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安、差分脈衝溶出伏安、常規脈衝溶出伏安、常規差分脈衝溶出伏安、交流溶出伏安
  • 交流阻抗:
    頻率掃描-電位控制模式(EIS-V)、頻率掃描-電流控制模式(EIS-I)、電位掃描(IMPE、Mott-Schottky)、時間掃描-電位控制模式、時間掃描-電流控制模式
  • 腐蝕量測:
    循環極化曲線(CPP)、線性極化曲線(LPR)、動電位再活化法(EPR)、電化學噪聲(EN)、電偶腐蝕量測(ZRA)
  • 電池測試:
    電池充放電測試、恆電流充放電(GCD)、恆電位充放電(PCD)、恆電位間歇滴定技術(PITT)、恆電流間歇滴定技術(GITT)
  • 雙恆量測
    氫擴散測試(HDT)、盤環電極測試(RRDE)、法拉第效率測試(FET)
  • 擴展量測
    盤環電極測試、數位記錄儀、波形產生器、圓盤電機控制、其他外設擴充端口(客製化)